Interposer作为HBM 2.5D集成的核心结构，通过TSV提供垂直互联大大缩短了连线长度，而且可集成不同工艺的芯片，不受工艺节点的限制。然而由于半导体硅高损耗的特性，在Interposer中实现DDR高速信号的高密度集成时，会出现损耗、串扰等多方面的信号完整性问题。这在相当程度上会造成芯片，甚至系统或设备无法正常工作。本文通过在Xpeedic Metis工具里建立Interposer模型，利用仿真引擎进行电磁场仿真，可以快速计算出HBM数据信号之间的串扰，同时评估硅衬底对传输线电性能的影响等。