本白皮书对基于TGV的集成无源器件(IPD)进行了综合研究，并与其他IPD技术相比较，如低温共烧陶瓷(LTCC)、高阻硅(HRSi)和玻璃基板。这种比较不仅是在组件(电感)级上，也在系统级上设计了载波聚合双工器。在此基础上，还提出了进一步的TGV工艺改进。
简介
当前移动和物联网设备市场正经历着快速的增长。尽管数字电路在摩尔定律的驱动下继续增加着集成度，但射频电路却无法按相同比例减小尺寸。因此射频电路尤其是无源器件部分的进一步集成，成为系统小型化的关键。为了满足不断增长的需求，减小尺寸和成本，增加功能，集成无源器件(IPD)技术已成为射频前端设计的一种可行性技术。它已经从低温共烧陶瓷(LTCC)发展到薄膜技术，如使用高阻硅(HRSi)或玻璃基板。
最近，玻璃通孔技术被视为实现集成、低成本和高性能无源器件最有前途的技术之一。与二维平面电感相比，采用TGV结构的三维电感具有更好的品质因数。与硅相比，玻璃的介电常数较低，电阻率较高，因而具有较好的高频性能。诸如使用TGV构建的滤波器和双工器之类的无源器件，在确保较小的带内插损和较大的带外抑制能力的同时，还能在尺寸上做小。
本白皮书将通过比较TGV电感与LTCC、HRSi和玻璃基板上的电感来演示TGV的性能，并在系统层次上也进行了类似的比较。利用TGV、LTCC、HRSi和玻璃分别设计了一种载波聚合(CA)双工器，从而比较了它们的性能，如IL、隔离和抑制。并从TGV工艺角度研究了TGV性能的进一步提高。