三星

新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。

今日，三星宣布开发新一代“8纳米射频（RF）工艺技术”，强化5G通信芯片的解决方案。

国内EDA行业领导者，芯和半导体科技（上海）有限公司（以下简称“芯和半导体”）宣布，其片上无源电磁场（EM）仿真套件已成功通过三星晶圆厂的8纳米低功耗（8LPP）工艺技术认证。

日前，三星半导体已开发出了能将逻辑芯片（Logic Chip）和4枚高带宽内存（HBM，High Bandwidth Memory）封装在一起的新一代2.5D封装技术“I-Cube4”。